英特尔宣称在相变NAND闪存芯片上有突破  

http://www.mscc.org.cn   2010年2月22日 

Intel先前已经发布了该公司想要在NAND闪存芯片上有些突破的具体细节。

该公司说它和前子公司Numonyx的一个联合项目已经产生了一个新的更加紧密形式的相变存储芯片。据Intel说，该芯片是第一款成功进行堆栈相变设计的芯片。

通过堆叠多层在一个芯片层上，工程师能够创建拥有更大容量和更节能的稳定存储芯片。

相变存储芯片存储数据在硫化物的小单位上，硫化物是一种特殊的化合物它能够一定热量下改变物理状态。由于相变芯片能够运行的更快，而且比传统的晶体管NAND芯片有更加长的使用寿命；许多芯片厂商相信这项技术将最终占领闪存市场。

凭借这个最新的突破, Intel 和Numonyx希望它们能在竞争日益激烈的相变研发上占据领导地位。

“我们将继续发展该项存储技术线，以便能够提升技术安排平台的性能”。 Intel Fellow 的存储技术总监Al Fazio说。"我们将会被这项研究成果所鼓励，而看到未来的存储技术。例如相变存储；这对于扩展存储在计算解决方案上的地位和扩展存储容量都相当重要”。

两家公司计划在12月9号的发布是宣布新芯片的进一步细节。