美光公司宣布，他们已经开始试产34nm工艺的企业级闪存产品，其寿命比之前的民用级产品有数倍的提升。

　　美光NAND闪存从去年年底就开始进入34nm工艺时代，首批34nm MLC闪存写入寿命只有1500次，只能使用在MP3、存储卡、U盘等应用中，无法满足固态硬盘的需要。今年2季度，美光推出了可用于固态硬盘使用的34nm闪存，MLC颗粒写入寿命达到5000次，SLC颗粒寿命达到10万次，再加上闪存控制器负载均衡技术的帮助，已经可以用于SSD。随后在第三季度，每存储单元可存放3bit数据的3bpc大容量34nm NAND闪存也开始投产。而今，终于来到了最后一步长寿命企业级闪存。美光表示，目前其整个NAND闪存生产线已经几乎全部迈入34nm工艺。

　　美光表示，其34nm企业级闪存颗粒MLC版本写入寿命可达3万次，SLC版本达到30万次，分别是之前民用产品的6倍和3倍。与此同时，由于支持ONFI 2.1同步接口，其数据传输率也有4到5倍的提升。其MLC版容量为32Gb，SLC版为16Gb，通过多die封装技术可以制造出32GB MLC或16GB SLC颗粒。

　　目前，美光34nm工艺企业级闪存已经开始试产，预计明年年初实现量产。基于美光和Intel在闪存制造上的合作关系，我们可以预期届时Intel的X25-E企业级固态硬盘也将升级到34nm。